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松下PhotoMOS?光耦繼電器 AQW216EH - 600V/40mA 加強(qiáng)絕緣型DPST固態(tài)繼電器
松下AQW216EH PhotoMOS光耦繼電器技術(shù)解析一、核心功能與技術(shù)亮點(diǎn)1. 高隔離與安全性能AQW216EH采用光耦隔離技術(shù),輸入與輸出間絕緣耐壓高達(dá)5000Vrms,符合國(guó)際安全標(biāo)準(zhǔn)EN60 ...
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產(chǎn)品簡(jiǎn)介 / Introduction

松下AQW216EH PhotoMOS光耦繼電器技術(shù)解析

一、核心功能與技術(shù)亮點(diǎn)
1. 高隔離與安全性能
AQW216EH采用光耦隔離技術(shù),輸入與輸出間絕緣耐壓高達(dá)5000Vrms,符合國(guó)際安全標(biāo)準(zhǔn)EN60950和EN41003的加強(qiáng)絕緣(Reinforced Insulation)要求。內(nèi)部絕緣距離超過0.4mm,有效防止高壓擊穿風(fēng)險(xiǎn),適用于電力設(shè)備、安全控制系統(tǒng)等對(duì)電氣隔離要求嚴(yán)苛的場(chǎng)景。

2. 雙通道高效開關(guān)
作為DPST-NO(雙通道單刀單擲) 固態(tài)繼電器,可同時(shí)獨(dú)立控制兩路信號(hào)。負(fù)載電壓支持600V AC/DC,連續(xù)負(fù)載電流40mA,峰值電流達(dá)120mA。其MOSFET輸出結(jié)構(gòu)無(wú)機(jī)械觸點(diǎn),徹底消除電弧磨損問題,壽命遠(yuǎn)超機(jī)械繼電器。

3. 低功耗與高速響應(yīng)

· 靈敏驅(qū)動(dòng):僅需1.2mA平均LED電流(最大3mA)即可觸發(fā)動(dòng)作,支持低電平控制信號(hào)輸入。

· 超快切換:導(dǎo)通時(shí)間典型值0.5ms,關(guān)斷時(shí)間0.04ms,顯著提升系統(tǒng)響應(yīng)效率。

· 低泄漏電流:關(guān)態(tài)漏電流≤1μA,避免信號(hào)串?dāng)_。

二、關(guān)鍵電氣參數(shù)解析
1. 輸入特性優(yōu)化

· LED驅(qū)動(dòng):推薦工作電流5-10mA,正向壓降1.25V(平均),兼容TTL/CMOS控制電路。

· 保護(hù)設(shè)計(jì)LED反向耐壓5V,內(nèi)置75mW輸入功率限幅保護(hù)。

2. 輸出性能優(yōu)勢(shì)

· 導(dǎo)通阻抗:平均52Ω(最大120Ω),降低導(dǎo)通損耗。

· 負(fù)載兼容性:支持純阻性、容性及低電平模擬信號(hào)負(fù)載,失真率低。

三、可靠性與環(huán)境適應(yīng)性

· 寬溫操作:工作溫度范圍-40℃~+85℃,存儲(chǔ)溫度-40℃~+100℃,適應(yīng)工業(yè)惡劣環(huán)境。

· 電容設(shè)計(jì):輸入/輸出間寄生電容僅0.8pF(平均),減少高頻干擾。

· 認(rèn)證齊全:通過UL、C-UL、BSI認(rèn)證,符合RoHS指令。

四、典型應(yīng)用場(chǎng)景

· 通信基礎(chǔ)設(shè)施:調(diào)制解調(diào)器、電話交換設(shè)備的信號(hào)切換,利用其高速響應(yīng)確保數(shù)據(jù)傳輸穩(wěn)定性。

· 工業(yè)自動(dòng)化PLC控制回路、傳感器接口隔離,耐受工廠環(huán)境中的電壓波動(dòng)。

· 安全系統(tǒng):火災(zāi)報(bào)警器、安防設(shè)備中的冗余控制通道,依賴5000V絕緣保障操作安全。

· 醫(yī)療與測(cè)試設(shè)備:精密儀器低電平模擬信號(hào)路由,避免漏電流干擾測(cè)量精度。

五、封裝與集成設(shè)計(jì)
采用標(biāo)準(zhǔn)DIP-8通孔封裝(引腳間距2.54mm),兼容手工焊接與自動(dòng)化貼裝。管裝包裝(每管50只)便于批量生產(chǎn)管理,尺寸緊湊(9.86×6.4×3.2mm)節(jié)省PCB空間。




結(jié)語(yǔ)
松下AQW216EH以高絕緣可靠性、雙通道靈活控制及毫秒級(jí)響應(yīng)速度,成為工業(yè)控制與通信設(shè)備的理想隔離解決方案。其無(wú)觸點(diǎn)設(shè)計(jì)及寬溫性能,顯著降低系統(tǒng)維護(hù)需求,適用于追求長(zhǎng)期穩(wěn)定運(yùn)行的場(chǎng)景。

 

 

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